800V HVDC 架构兴起，第三代半导体需求升温
TechNews 科技新报
2026年06月15日
作者：苏子芸
2026年06月15日
作者：苏子芸
随着 AI 数据中心规模持续扩大，产业竞争已不再只是 GPU 数量与算力高低的比较，而是逐渐演变为“每一度电能够产生多少 AI 算力”的效率竞争。嘉晶指出，当单一数据中心的用电规模迈向数百 MW，甚至 GW 等级时，如何降低电力转换过程中的能量损耗，已成为 AI 基础设施建设的重要课题。
从近期市场高度关注的 800V 高压直流（HVDC）架构，到碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）等化合物半导体技术，都被视为提升能源效率的重要关键。
在 SEMI 举办的功率半导体论坛中，嘉晶表示，传统数据中心从电网到 GPU 之间需要经过多次电力转换，每一个环节都会产生能量损耗，而损耗的电能最终大多会转化为热能，还需要通过空调、液冷等散热系统额外消耗电力进行降温。
对于电力受限的 AI 数据中心而言，嘉晶举例说明，若整体电力转换效率提升约 10%，便有机会在相同供电条件下部署更多 GPU，进一步提高 AI Token 的产出能力。因此，降低电力损耗、提升能源使用效率，已成为下一代 AI 基础设施的重要发展方向。
嘉晶表示，随着 AI 基础设施规模持续扩大，市场对高效率功率元件的需求也同步提升。目前产业正朝向 800V HVDC 架构发展，以减少电力转换层级并降低传输损耗，而 SiC 与 GaN 正是支撑新一代电力架构的重要核心材料。
其中，GaN 适合应用于高频、高效率的电源转换领域；SiC 则在高电压、大功率应用中具备优势，未来有望广泛应用于 AI 数据中心、电动汽车、人形机器人、低轨卫星及工业电源等市场。
另一方面，嘉晶于 12 日召开股东常会，董事长徐建华表示，受益于 AI 基础设施、生成式 AI 及 AI Agent 的快速发展，高性能计算、电源管理与高速传输需求同步升温，公司旗下硅外延、化合物半导体及硅光子三大事业体皆有望受益。
其中，化合物半导体已陆续切入国际客户供应链；硅光子方面，锗硅（GeSi）外延产品已进入放量阶段，预计至 2026 年底营收占比有望达到 5%，并有机会在 2027 年迎来倍数成长。
【免责声明】
本文内容仅代表作者个人观点，与馗鼎无关。
本文内容、文字表述及原创性未经本站证实，本站不对本文及其全部或部分内容的真实性、完整性、及时性作出任何保证或承诺，仅供读者参考，请自行核实相关信息。
本文内容仅代表作者个人观点，与馗鼎无关。
本文内容、文字表述及原创性未经本站证实，本站不对本文及其全部或部分内容的真实性、完整性、及时性作出任何保证或承诺，仅供读者参考，请自行核实相关信息。
馗鼎奈米科技股份有限公司 Creating Nano Technologies, Inc.
59 Alley 21 Lane 279, Chung Cheng Road, Yung Kang City, Tainan, TAIWAN
TEL: 886-6-2323927 FAX: 886-6-2013306 URL: http://www.creating-nanotech.com
59 Alley 21 Lane 279, Chung Cheng Road, Yung Kang City, Tainan, TAIWAN
TEL: 886-6-2323927 FAX: 886-6-2013306 URL: http://www.creating-nanotech.com