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230℃ 高耐热环氧树脂封装材料,拓展 SiC 功率模块应用

230℃ 高耐热环氧树脂封装材料,拓展 SiC 功率模块应用

材料世界网
2026年07月14日

 

日本 Sumitomo Bakelite 开发了一项适用于次世代碳化硅(SiC)功率模块的固态环氧树脂封装材料「EME-G785 系列」,并正式开始量产。此材料实现了业界首创的 230℃ 高玻璃化转变温度(Tg),可满足高温操作环境下对功率半导体封装材料的严苛需求。虽然 SiC 半导体可在超过 200℃ 的高温环境下运作,但用于保护半导体元件的封装材料仍面临耐热性能不足的挑战,成为次世代功率模块发展的重要课题。

 

一般而言,提高环氧树脂的玻璃化转变温度通常会造成材料弹性模量增加,使其在热循环过程中容易产生内部应力,进而导致芯片与基板剥离,或树脂本身产生裂纹。因此,过去虽然可以实现高 Tg 材料,但实际导入产品应用仍相当困难。

 

为解决此问题,Sumitomo Bakelite 采用最新低应力化技术,通过调整树脂主链结构并优化交联密度,在提升耐热性的同时抑制弹性模量增加,成功开发出 EME-G785 系列。新材料的玻璃化转变温度达 230℃,为环氧树脂封装材料中的最高水准,且可在高温操作条件下维持优异的物理特性,确保 SiC 功率模块长期运作所需的绝缘可靠性。

 

EME-G785 系列具有优异耐热性,适用于烧结材料(Sintering Material)以及与散热器连接所使用的焊料接合制程,有助于提升功率模块的散热性能。通过改善散热效率,可进一步提高功率密度,使功率模块朝向小型化与高输出化发展,满足电动车、高功率电子设备及能源系统对高效能电力控制元件的需求。

 

 

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