从锡滴到等离子体：ASML为何将EUV光源推向1000W？

先进半导体的竞争不仅体现在制程线宽与芯片架构上，制程背后的光源技术同样是影响量产效率的重要关键。

目前EUV光刻设备主要采用激光产生等离子体技术：高功率CO₂激光照射直径约30微米的熔融锡滴，使其形成高温等离子体，并释放波长13.5纳米的EUV光。

根据Tom’s Hardware报道，ASML已逐步将EUV光源功率从约250W提高至约500W，未来计划进一步提升至1000W，同时将锡滴产生频率提高至每秒10万滴。

提高功率并不只是为了获得更明亮的光源。对半导体制造而言，更高且稳定的EUV输出有助于提高晶圆曝光速度与设备生产效率。然而，功率提升也带来了等离子体稳定性、锡碎屑、真空环境、反射镜保护及精密控制等挑战。

虽然EUV设备使用的激光等离子体与低温等离子体、常压等离子体或等离子体活化水属于不同应用领域，但背后的产业逻辑相似：真正决定技术能否进入量产的，不只是能否产生等离子体，而是能否长期稳定地控制能量、反应环境与制程结果。

从半导体光刻、表面改性到薄膜沉积，等离子体正在成为高端制造不可或缺的基础技术。

信息来源：Tom’s Hardware

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