三星在FMS 2026展示下一代3D存储愿景，勾勒AI基础设施未来

2026/08/05

Samsung Newsroom
2026 年 08 月 05 日

全球先进存储技术领导厂商三星电子，今日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的 2026 未来存储大会（Future of Memory and Storage，FMS 2026）上，展示了最新的 AI 存储创新技术。

凭借覆盖 DRAM、NAND、企业级存储及相关先进半导体技术的广泛专业实力，三星展示了最新的 AI 存储产品组合与技术路线图，包括抢先展示 zHBM 和 zNAND-O 概念模型、业界首次亮相的 400 层以上 V10 BV-NAND，以及一系列旨在推动未来 AI 基础设施发展的完整解决方案。

三星还在 FMS 2026 打造了以 AI 云服务器为设计灵感的展位，现场展出约 30 项存储技术。

在开幕主题演讲中，三星存储器事业部执行副总裁兼闪存产品与技术负责人 Jin-Yub Lee，以及 DRAM 设计团队副总裁兼项目负责人 Kyungryun Kim，共同发表演讲，介绍未来存储解决方案中的下一代 3D 结构。

本次主题演讲以“推动 AI 革新浪潮：存储架构的 3D 创新”为题，阐述了三星在应对高性能计算（HPC）和 AI 基础设施需求快速增长的同时，最大限度提升 AI 系统性能及能效的愿景。

三星还首次在业界公开了 V10 BV-NAND。该架构采用全新的晶圆键合技术实现。

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