三星於 FMS 2026 揭示下一代 3D 記憶體願景，擘畫 AI 基礎設施未來

全球先進記憶體技術領導廠商三星電子，今日於美國加州聖克拉拉舉行的 2026 未來記憶體與儲存大會（Future of Memory and Storage，FMS 2026）上，展示最新的 AI 記憶體創新技術。

憑藉橫跨 DRAM、NAND、企業級儲存及相關先進半導體技術的廣泛專業實力，三星展示最新的 AI 記憶體產品組合與技術藍圖，包括搶先展示 zHBM 與 zNAND-O 概念模型、業界首度亮相的 400 層以上 V10 BV-NAND，以及一系列旨在推動未來 AI 基礎設施發展的完整解決方案。

三星亦於 FMS 2026 打造以 AI 雲端伺服器為設計靈感的展位，現場展出約 30 項記憶體與儲存技術。

在開幕主題演講中，三星記憶體事業部執行副總裁兼快閃記憶體產品與技術負責人 Jin-Yub Lee，以及 DRAM 設計團隊副總裁兼專案負責人 Kyungryun Kim，共同發表演說，介紹未來記憶體解決方案中的下一代 3D 結構。

本次主題演講以「驅動 AI 革新浪潮：記憶體與儲存架構的 3D 創新」為題，闡述三星在因應高效能運算（HPC）與 AI 基礎設施需求快速成長的同時，將 AI 系統效能及電源效率提升至最高的願景。

三星亦首度在業界公開 V10 BV-NAND。此架構採用全新的晶圓鍵合技術實現。