RIE 低压反应离子刻蚀系统

◆ 支持高密度ICP等离子源，实现各向异性精密刻蚀
◆ 分气盘设计，确保制程高度均匀
◆ 完整支持EFEM、SECS/GEM，自动化量产就绪
◆ 适用4"~12"晶圆及300mm×300mm板材

• 半导体、晶圆/面板级封装、IC载板、Micro-LED
• CoWoS封装技术
• TGV（通孔玻璃）制程
• 光阻灰化、剥离、残留清除、有机污染去除
• Si、Poly-Si、SiO₂、SiN刻蚀