先進晶片為何用掉這麼多超純雙氧水？從濕式清洗看微量污染控制
Solvay於2026年9月宣布，將把台南電子級超純雙氧水年產能由3.5萬噸提升至超過7萬噸，預計於2026年底完成。這項投資反映先進晶片製程對高純度清洗化學品的需求持續增加。
雙氧水在晶圓清洗中扮演什麼角色？
晶圓經過蝕刻、沉積與光阻製程後，表面可能殘留微粒、有機物、金屬離子及反應副產物。即使污染量極低，也可能影響後續膜層附著、線路完整性與元件可靠度。
電子級雙氧水具有氧化作用，常搭配氨水、鹽酸或硫酸，應用於不同濕式清洗配方：
- SC-1：去除微粒及部分有機污染
- SC-2：降低金屬離子污染
- SPM：分解光阻與有機殘留物
為什麼必須使用「超純」等級？
一般工業用雙氧水可能含有微量金屬與雜質；對先進晶片而言，這些成分也可能成為新的污染來源。因此，電子級藥液必須嚴格控制純度、儲存與輸送系統，避免晶圓在清洗時受到二次污染。
隨著線寬縮小、3D結構增多及製程步驟增加，晶圓需要經過更多次表面處理，對清洗均勻性與污染控制的要求也更加嚴格。
濕式清洗與電漿清洗相互搭配
濕式清洗適合大面積去除微粒、金屬與有機污染；乾式電漿則可用於去除特定殘留、活化表面及改善後續鍍膜或黏接效果。兩者並非互相取代，而是依材料、污染種類與製程需求搭配使用。
馗鼎奈米提供電漿清洗與表面處理設備，可依基材、污染物、潔淨度及製程均勻性需求，評估合適的電漿參數與自動化整合方式。
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